近日，笔者从西安电子科技年夜学芜湖研究院获悉，作为芜湖年夜院年夜所互助的重点项目，国产化5G通讯芯片用氮化镓质料于西电芜湖研究院试制乐成，这标记着此后海内各年夜芯片企业出产5G通讯芯片，有望用上国产质料。

据先容，氮化镓半导体质料具备宽带隙、高击穿场强、高热导率、低介电常数、高电子饱及漂移速率、强抗辐射能力及优良化学不变性等优胜物理化学性子。成为继第一代半导体硅、第二代半导体砷化镓以后制备新一代微电子器件及电路的要害质料，尤其合适在高频率、年夜功率、高暖和抗辐照电子器件与电路的研制。

西安电子科技年夜学芜湖研究院依托在西电宽带隙半导体技能国度重点学科试验室，研发出天下产的基在碳化硅衬底的氮化镓质料，今朝于国际第三代半导体技能范畴处在领先程度，将助力5G通讯制造范畴的国产化进程。西电芜湖研究院技能总监陈兴暗示，CA888亚洲城集团-研究院今朝已经经把握了氮化镓质料的出产及5G通讯芯片的焦点设计与制造能力。下一步他们将尽快将这项技能商用，力争早日推向市场。