2009年初次发明的斯格明子（skyrmion）是一种具备漩涡状的布局体，它具备拓扑学不变性、尺寸小、高效运动等特征，是以，作为超高密度超高速的第二代存储元件的基本单位，备受学界的存眷。不外，作为其拓扑学特征之一，斯格明子霍尔效应(skyrmion?hall effect)会致使斯格明子很难根据抱负的标的目的进步运动，是以，火急需要开发如许一种物资及技能，亦即，根据外部施加的电流标的目的运动的 斯格明子进步运动 。近期，韩国研究团队于这一范畴取患了巨年夜结果，此举将有助在实现采用斯格明子制备第二代超低功耗扭转存储器。

图.根据电流标的目的作进步运动的铁磁体斯格明子运动模式

韩国科学技能研究院（KIST）的存储器交融研究团的禹成勳（音译）博士团队采用亚铁磁体(ferrimagnetic?:?GdFeCo,钆、铁、钴等金属的合金)，这是一种介在铁磁体及反铁磁体的中间态，由此于全世界初次提出具备较高直进性及挪动效率的斯格明子运念头理。

这次研究获得了韩国科学技能信息通讯部、KIST机构同享事业及三星电子将来技能培育中央的鼎力大举撑持，登载在国际权势巨子期刊《天然通信》（Nature?Co妹妹unications）最新一期的收集版。

事实上，为了采用斯格明子驱动存储元件，就必需正确节制每一个斯格明子的位置，为了实现如许的位置调解，就必需采用外部电流使患上斯格明子向方针位置挪动，也就是说，火急需要斯格明子根据电流标的目的进步运动的焦点技能，是以，本研究的方针就是要斯格明子运用在贮存元件，将来将有助在使用斯格明子制备超低功耗存储器。

禹成勳博士暗示，跟着第四次工业革命的到来，火急需要高机能高容量的电子元件，开发超低功耗存储器元件也是当务之急，本研究采用斯格明子制备超低功耗存储器元件将有助在相干需求财产的成长。